ترفندی برای افزایش ترانزیستورها در تراشه های جدید

به گزارش سایت قطره و به نقل ازگروه دانشگاه خبرگزاری دانشجو، دو شرکت IBM و سامسونگ با ارائه معماری عمودی در چیدن ترانزیستورها، موفق به افزایش دانسیته ترانزیستور ها شده و با این کار موفق به افزایش دوام شارژ باتری تلفن های همراه به بیش از یک هفته شدند.

- دو شرکت IBM و سامسونگ با ارائه معماری عمودی در چیدن ترانزیستورها، موفق به افزایش دانسیته ترانزیستورها شدند.

به گزارش سایت قطره و به نقل ازگروه دانشگاه خبرگزاری دانشجو، دو شرکت IBM و سامسونگ با ارائه معماری عمودی در چیدن ترانزیستورها، موفق به افزایش دانسیته ترانزیستور ها شده و با این کار موفق به افزایش دوام شارژ باتری تلفن های همراه به بیش از یک هفته شدند.

آی بی ام و سامسونگ چیپ جدیدی را معرفی کردند که می تواند دوام شارژ باتری موبایل شما را تا بیش از یک هفته افزایش دهد.

این دو شرکت با هم متحد شده اند تا نوعی ریزتراشه را توسعه دهند که کارآمدتر باشد و این فناوری را یک قدم جلوتر ببرد.

تراشه جدیدی که به تازگی معرفی شده است که می تواند انقلابی در این حوزه باشد.

این ترانزیستور VTFET (ترانزیستور های اثر میدان انتقال عمودی) نام دارد و می تواند گام بعدی در دنیای فناوری نانو باشد.

این فناوری به لطف همکاری بین IBM و سامسونگ ایجاد شده است.